بهینه کردن راندمان الکترونهشت آرایه ی نانوسیم های نیکل با تغییر ولتاژ نازک سازی و شرایط الکترونهشت

در این تحقیق، نانوسیم های مغناطیسی نیکل به روش الکترونهشت پالس ac درون قالب آلومینای آندی ساخته شده به روش آندایز دو مرحله ای رشد داده شدند. لایه سدی کف حفره ها در یک آندایز غیر تعادلی بر اساس یک تابع نمایی تا ولتاژهای 16، 14، 12، 10 و 8 ولت نازک-سازی شد. اثر جریان های 10 و 20 میلی آمپر در ولتاژهای نازک سازی و زمان های خاموشی متفاوت بر درصد راندمان الکترونهشت، درصد پر شدگی حفره ها وکیفیت نانوسیم های نیکل توسط آنالیزهای vsm و xrd مورد مطالعه قرار گرفت. تحت جریان 20 میلی آمپر، با افزایش ولتاژ نازک سازی به علت افزایش توانایی لایه سدی در حفظ یکسو کنندگی جریان در ضخامت-های بالاتر و نیز با افزایش زمان خاموشی با فراهم نمودن زمان کافی برای تثبیت یون های نهشت شده و خروج گرمای تولید شده در حین انباشت راندمان الکترونهشت بهبود می یابد. راندمان الکترونهشت، کیفیت نانوسیم ها و پرشدگی حفره ها تحت جریان 10 میلی آمپر نسبت به جریان 20 میلی آمپر افزایش یافت. بالاترین راندمان الکترونهشت تحت جریان های 20 و 10 میلی آمپر به ترتیب 80% و 88% محاسبه گردید. بهینه شرایط جهت بهبود راندمان الکترونهشت تحت جریان 20 میلی آمپر ولتاژهای نازک سازی 16-12 ولت و زمان های خاموشی 2/19-6/9 میلی ثانیه به دست آمد، در حالی که تحت جریان 10 میلی آمپر، به ترتیب 16-14 ولت و 6/9-8/4 میلی-ثانیه مشخص شد. طبق نتایج حاصل از xrd افزایش راندمان الکترونهشت، تاثیری در میزان بلورینگی نانوسیم های نیکل ندارد. بررسی نوع قطبش اکسید/ احیا نسبت به احیا/ اکسید نشان داد که نوع قطبش نیز تاثیری در راندمان الکترونهشت و کیفیت نانوسیم های نیکل و پر شدگی حفره ها ندارد.